英飞凌推出LDMOS射频功率晶体管
来源:EDN发布时间:2008-05-06106浏览
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英飞凌科技公司副总裁兼射频功率器件业务部总经理Helmut Volger表示:“英飞凌产品家族的这名新成员,将是市场上拥有最高峰值功率的射频功率晶体管。随着WiMAX和其他新技术逐渐在无线宽带市场上占有一席之地,诸如英飞凌LDMOS射频功率晶体管等拥有更加出色的特性和处理能力的产品,将成为设计师工具包中至关重要的一份子。得益于其更高峰值功率,设计师可以开发出更简单的设计,降低总材料成本。”
在WiMAX信号条件下,提供16 W平均输出功率时,英飞凌PTFA260851E/F 85W FET可实现14 dB增益(典型值)和22%效率(典型值)。在WiMAX信号条件下,提供32 W平均输出功率时,PTFA261
702E 170W FET可实现15 dB增益(典型值)和20%效率(典型值)。
英飞凌PTFA261702E的额定峰值功率为170W(P-1 dB),是2.5 GHz至2.7 GHz频段上的行业最高峰值功率。该晶体管的架构一分为二,并且实现电气隔离,可轻松用于Doherty隔离放大器应用。该器件也可用于推拉式配置,以提高带宽性能。
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