应用材料推出存储芯片铜阻挡层技术

　　应用材料公司副总裁兼金属沉积产品部总经理Prabu Raja表示：“由于存储单元的高电压和高密集度封装要求，在存储器件中使用铜材料需要应对在薄膜整合方面独特的挑战。制造厂商正在使用新的衬垫/阻挡层方案，以最具成本效益的方式充分利用铜材料的优点。Extensa以其经过验证的单系统解决方案实现了这些关键的新型扩散阻挡层的高性能整合，帮助存储器制造厂商在32纳米及更小技术节点上实现较高的生产良率。”

　　应用材料公司的Extensa系统具有杰出的性能，并且已经在多个客户的工厂内得到验证。这些优秀性能来源于Ti/TiN沉积反应腔所采用的多项PVD（物理气相沉积）技术创新。新型双磁体PVD（化学气相  
沉积）源极的侧向电磁器具有磁通量整形功能，可以提供无与伦比的阶梯覆盖率，并能将≥0.12μm的微粒控制在10个以下。拥有专利的源极技术也提高了沉积材料的使用效率，并将靶材的使用寿命延长了30%。此外，反应腔的工具套件包括拥有专利的CleanCoat™技术，可以方便地进行维护工作和微粒控制。

　　Extensa技术整合在非常成功的应用材料公司Endura平台上，它能提供Ti/TiN沉积解决方案，为存储器的两个技术转型提供支持：一个是在铜阻挡层/晶种层应用中用钛基电介质阻挡层取代钽；另一个是采用铜-铝和铜-钨扩散阻挡层来实现铜和铝层以及钨孔道的最具成本效益的整合。