中芯国际45纳米工艺获得良率验证

　　中芯国际高速、高性能的45纳米工艺技术集成硅锗应力模块的设计，提升了器件的运行速度，从而适用于更多应用，包括系统级芯片，图形和网络处理器，电信和无线消费电子产品，并作为技术平台，应用于快速成长的中国市场。

　　45纳米工艺技术中的低功耗技术验证成功，使移动设备更具备低功耗的性能。中芯国际已与 IBM 于2007年12月签订了45纳米 bulk CMOS 技术许可协议，该技术转移已于2009年3月成功完成。

　　“很高兴看到中芯国际45纳米项目所取得的进展，从而能够在严格的期限内完成目标，对此我们要向 IBM 团队给予的强大支持表示由衷的感谢。”中芯国际45纳米项目负责人，逻辑技术中心副总经理俎永熙博士表示，“集成了高性能工艺中特有的应变硅流程，并且在首批完整流程芯片上展示了出色的良率，这是我们一个重要的技术成果，使我们可以为客户提供先进技术的芯片代工服务。”

　　中芯国际的45纳米工艺技术以通过认证的 SPICE 模式为支持，拥有内部 IP 设计能力，使客户能够尽快开始原型产品的设计并提早计划产品上市时间。今年6月，中芯国际宣布采用新的 SPICE 模式软件来设计和验证45纳米 IP 模块、I/O 电路以及标准单元参数特性化流程。

　　随着公司65纳米低功耗技术开发周期的顺利结束，并于最近发布了 IP 产品组合以及通过众多客户的产品认证从而进入生产，目前的重点已转为45纳米技术。中芯国际45纳米的低功耗和高性能工艺技术应用于设计将使客户进入到高利润市场。