通富微电计划10亿元扩产半导体封装产能

通富微电计划总投资预计10亿元，启动半导体三期工程和扩建二期工程。

此次拟开工建设的三期工程建筑面积约2.6万平方米，二期扩建工程建筑面积约1万平方米。工程建设完成后将用于8英�肌�12英�夹滦途г布斗庾埃�WLP）、凸块工艺（BUMP） 新型封装的研究开发及其量产，BGA、FCBGA、QFN、LQFP 产品的扩产，形成BGA、FCBGA、QFN、LQFP产品的大规模生产能力。上述产品广泛应用于3G手机、移动电视、无线射频网络、汽车电子、消费电子等领域。项目资金来源为自有资金和银行项目贷款。

通富微电认为，2010年半导体行业将进入景气周期，启动三期工程、扩建二期工程是为了保证发展所必需的环境和空间，扩大生产规模，调整产品结构，提升技术水平。