三星砸35亿美元 赴大陆盖半导体厂
来源:工商时报发布时间:2011-12-08719浏览
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中国政府过去一直以「技术换市场」的策略,招睐各国业者将高新技术与研发留在中国,但业者唯恐技术外流,最先进的技术始终留在母国。今天中国虽贵为世界工厂,但吸收的大多是各国已经发展成熟或即将换代的技术,如今三星电子却引进先进技术、重金在中国投资快闪存储器工厂,背后意义殊堪玩味。
据韩国媒体报导,三星电子昨(6)日表示,决定在中国建立工厂,从2013年开始生产NAND快闪存储器芯片。报导称,三星此举旨在寻求抓住智能手机和平板计算机快速发展的机会。未来三星快闪存储器芯片生产线将采用先进的20纳米制程,但并未透露该座新工厂的位址和具体投资金额。
报导提到,如果建厂计划获得中国官方批准,该工厂将是三星继美国德州奥斯汀之后的第2座海外芯片制造工厂,三星还计划在中国建立平板显示屏幕生产基地。
韩国新韩投资公司分析师金永灿预计,三星将为中国新厂投资4兆韩元(约合35亿美元)至5兆韩元。
报导称,三星表示,已经就在外国投建生产基地向韩国政府提交申请,后者要求三星需要提出类似申请,主要是担忧有价值的高科技技术外泄。
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