相变存储真让中国芯片告别进口？

相变存储芯片，成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业。业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。相变存储是第四代存储技术，比现有传统芯片执行速度快1000倍，耐久性高1万倍。

支撑未来30年的存储技术

以“芯时代、存世界”为主题的“2013宁波时代全芯科技产品发布会”11月28日在宁波举行，宁波时代全芯科技有限公司现场发布了55纳米相变存储芯片，意味着该企业成为继韩国三星、美国美光之后，第三家拥有这项技术的企业，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面。据悉，该企业2014年投入量产，产业化前景可观。

宁波时代全芯公司相变存储技术拥有完全自主知识产权，已申请专利57项，正在申请的专利有141项。其研发团队由美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士马佐平等专家组成。

从静态随机存储技术(SRAM)到动态随机存储技术(DRAM)再到当前热门的闪存技术(Flash)，人类对于存储性能的追求是无止境的。在云计算、大数据时代，数据的迅猛增长对存储的处理性能提出了更高的甚至近乎苛刻的要求。近几年才逐渐步入商品化的新一代存储技术―相变存储(PCM)，以高性能著称，具有替代传统存储甚至闪存的能力，由此势必将引发存储市场的新一轮变革。

相变存储技术的原理是利用存储材料在晶态和非晶态下的导电性差异，实现对数据的存储。与传统存储技术相比，相变存储可以将存储器的体积大大缩减。以全球搜索巨头谷歌为例，使用这种新技术后，原来3个足球场大小的存储器可以“浓缩”到一个20平方米的房间里。

PCM是一种“非易失性存储器”，与第三代的闪存技术一样具有非挥发性，但又比闪存更耐用。闪存的寿命通常约为10万次读/写，这对于许多高端存储应用来说是远远不够的。相比之下，PCM的耐用性数千至数百万倍于闪存，这让PCM在企业级存储应用中拥有了更多用武之地。

据预测，每位元的PCM的实际成本将很快达到与闪存相当甚至更低，在未来30年内，基于PCM技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业发展的主要支撑力量。