移动芯片工艺制程大比拼

LP低功耗型是最早量产的，不过它并非Gate-Last工艺，还是传统的SiON（氮氧化硅）介质和多晶硅栅极工艺，优点是成本低，工艺简单，适合对性能要求不高的手机和移动设备。HP才是真正的HKMG+Gate-Last工艺，又可细分为HP、HPL（LowPower）、HPM（Moblie）三个方向。HP工艺拥有最好的每瓦性能比，频率可达2GHz以上；HPL的漏电流最低，功耗也更低；HPM主要针对移动领域，频率比HPL更高，功耗也略大一些。

而世界前几大专业集成电路制造服务公司，包括TSMC、GF、Samsung和Intel，为各芯片厂商提供芯片制造支撑的同时，暗地里也展开了一场角逐。Intel一直是以技术领先为导向的，虽然自己的CPU在移动通信领域不太受欢迎，但其最先使用HKMG+Gate-Last工艺，又最先量产3D晶体管，其制程领先对手可以按代来计算，目前移动通信领域与Intel展开合作的公司不是太多。