除了有望在月底推出搭载
骁龙845
芯片的
三星S9、
小米MIX 2S等新机,
高通中端6系产品线的
骁龙670也有进一步的资料曝光。

德媒WinFuture主编、知名爆料人Roland Quandt最新撰文披露了这款
SOC的一些规格资料。

骁龙670基于10nm工艺制造,
CPU部分设计为2颗Kryo 300系列Gold大核以及6颗Kryo 300系列Silver小核(基于Cortex A55),最高主频2.6GHz,小核最高主频1.7GHz。
这推翻了此前4+4的Big.Little设计,比较意外。同时,每核心内件2KB L1缓存,每个丛集享有128KB L2缓存。
GPU是Adreno 615,可以实现430MHz、650MHz和700MHz+调频。
其他方面,闪存支持
UFS2.1和
EMMC5.1
基带集成X20系列,下行速度追上
骁龙835的水平,达到1Gbps。

此前我们已经见识过骁龙670 CPU性能,GeekBench 4跑分单核心超1860、多核心超5250,相比于
骁龙660单核提升约10%,但多核心反而下降了10%。
最后,爆料人Roland Quandt称,早先中国所谓数码爱好者的泄露一派胡言,他拿到的信息基于高通的官方代码文档,可信度是极高的。