GlobalFoundries全球首发22nm FD-SOI工艺

GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。

尽管如此，GF 22nm FD-SOI工艺也是有一些独特优势的，虽然无法制造高性能芯片，但也很适合移动计算、IoT物联网、射频联网、网络基础架构等领域。

GlobalFoundries宣称，该工艺功耗比28nm HKMG降低了70%，芯片面积比28nm Bulk缩小了20%，光刻层比FinFET工艺减少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%，而且功耗超低，电压可以做到业界最低的0.4V，并可通过软件控制晶体管电压，还集成了RF射频，功耗降低最多50%。甚至，它可以提供类似FinFET工艺的性能。

GF 22nm FD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产，为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持，将会采纳。