飞利浦扩展LFPAK封装的功率MOSFET系列

皇家飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列，推出创新性的SOT669无损封装（LFPAK）。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计，具有体积更小、效率更高、性能更加优化等特点，可用于众多新应用，如笔记本电脑、台式机、服务器、高频应用等。
飞利浦的LFPAK封装MOSFET主要特点有接近于零的封装电阻和主板连接低热阻，以增强功率功能。MOSFET还具有低封装电感，从而提高了开关速度，使飞利浦LFPAK封装的MOSFET产品特别适用于企业计算等高频应用。
小体积与卓越的热性能使功率损失降到最低，以帮助要求尽量减小产品体积的制造商能够开发体积更小、效率更高的设计，同时减少元件的数量。
亚洲的工程师正在持续地努力提高高功率密度应用中的功率性能，如笔记本电脑和DC/DC转换器，使对功率密度要求很高的应用能够体积更小化。亚洲是这些应用产品的主要生产地之一。飞利浦的LFPAK封装MOSFET满足了这些要求，不但性能比SO8封装好，同时维持引脚不变。SOT669 LFPAK专门针对功率封装设计，不同于专门为开关而设计的SO8封装。
飞利浦半导体LFPAK产品的国际产品营销经理Jim Jordan说：“随着设备对功率要求不断提高，由于产品需要小型化，主板的空间非常有限。这就需要体积更小、效率更高的功率封装。”
“有了新的LFPAK封装MOSFET，我们能够满足亚洲生产商对尺寸、功率管理的要求，使他们能够开发体积更小、效率更高的产品，同时运行温度比其他同类产品要低得多。”
通过结合更大功率封装突出的热性能与降低了40%只有1.1mm的厚度，新推出的LFPAK封装MOSFET具有封装尺寸小和优化的功率性能。在某些情况下，设计师们能够减少应用所需的功率封装数，从三个SO8封装减少到两个LFPAK。
对传统的功率封装而言，最主要的热路径一般是从封装底部下行，进入印刷电路板。LFPAK还从封装的顶部分散热量，相对SO8来说，优化了散热性能，并提供更优越的热阻。LFPAK MOSFET的电感值比SO8的要低50%，从而加快了开关速度。LFPAK封装MOSFET还使电源的功率转换到应用更加有效，从而延长电池或电源的寿命。
除了提供优化的电源性能外，飞利浦的LFPAK封装MOSFET的热性能使散热特别容易，从而保持运行所需最低的温度，这对于象笔记本电脑等应用来说是非常重要的性能，因为在这些应用中，运行温度对整体性能非常关键。
供货情况
LFPAK封装的MOSFET目前已可接受1万台数量的定货。