IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台专有的硅上GaN器件和功率器件技术预示着电源转换新纪元的到来

    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。 

    开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。 

    IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面的经验，可使该技术平台广泛应用于AC-DC电源转换器、DC - DC电源转换器、电机驱动器、照明系统及高密度音频和汽车系统领域。其系统解决方案产品组合和相关知识产权 (IP) 远远超越了其他的领先分立功率器件。 

    高吞吐量、150毫米GaN器件及其制造工艺完全符合IR公司倡导的低成本高效益的芯片制造要求，为客户提供世界一流的、可商业化的GaN功率器件制造平台。 

    IR总裁兼首席执行官Oleg Khaykin表示：“领先的GaN器件技术平台和IP组合符合我们为客户节约能源的核心使命，进一步提升了IR公司在功率半导体器件领域的领导地位，预示着电源转换新纪元的到来。我们完全相信这种新器件技术平台对电源转换市场的潜在影响至少和30多年前IR推出的功率HEXFET®电源一样大。” 

    几个新GaN器件产品平台的原型将在2008年11月11日至14日于慕尼黑举办的Electronica电子贸易展上向主要原始设备制造商展示。 

    Khaykin 还表示：“我们认为，GaN器件产品平台最早将在那些充分利用功率密度以及电源转换效率和成本的关键特性价值实现革命性转换能力的市场领域和设备中得以应用。”