安森美半导体推出IPD2工艺技术 结合HighQ™性能和小尺寸用于便携电子应用

辅以设计工具和快速原型制造的先进硅铜工艺，可快速开发高性价比的射频前端产品

2010年5月27日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米(μm)，增强了电感性能，提高了灵活性，配合设计高精度、高性价比的集成无源元件，用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用。

HighQ™ IPD2工艺是安森美半导体定制代工部众多创新制造服务之一，采用先进的8英寸晶圆技术，典型设计包括平衡/不平衡转换器(balun)、低通滤波器、带通滤波器和双工器，用于最新便携和无线应用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要优势，如降低成本、减小厚度、小占位面积，以及更高性能(等同于延长电池使用时间)。

安森美半导体为其IPD2工艺技术提供全功能设计工具和设计支援，以及快速的原型制造能力，帮助潜在用户快速和高性价比地评估，不管他们复杂度较低的分立或集成印制电路板(PCB)方案、较厚也较昂贵的陶瓷方案，还是基于更昂贵的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否适合转换至IPD2工艺。

安森美半导体定制代工部高级总监Rick Whitcomb说：“在高性价比、小尺寸和低插入损耗的平台上集成无源器件，能为电池供电便携电子产品设计人员提供极有用的方案。我们以全套设计工具和技术配合这新工艺，能够帮助客户以最短的时间和最大的信心，从效用相对较低的技术转换至我们的IPD2工艺。”