飞思卡尔推出覆盖全部无线基站频段的RF功率LDMOS晶体管

摘要：  飞思卡尔半导体日前推出两个LDMOS RF功率晶体管，允许无线基站放大器覆盖整个分配频带中的所有通道。

关键字：  晶体管，  放大器，  飞思卡尔半导体，  多频带基站

飞思卡尔半导体日前推出两个LDMOS RF功率晶体管，允许无线基站放大器覆盖整个分配频带中的所有通道。 这两个高效率晶体管有助于降低运营和资本支出，它们的宽瞬时带宽允许网络运营商改善网络的灵活性。

目前使用的大部分放大器系统的瞬时(视频)带宽通常在20到40MHz之间，需要对每个通道使用单独的功率放大器。然而，日益增长的无线数据流量要求放大器系统进行扩展，从而覆盖完整的无线频段。飞思卡尔的全新RF功率LDMOS晶体管集高线性、高效率、宽瞬时带宽和大功率特性于一体，可以将瞬时信号带宽扩展到行业领先的160MHz，从而很好地满足下一代放大器系统的需求。

飞思卡尔的MRF8P20165WH/S适用于1930到1995 MHz PCS频带，而MRF8P20140WH/S适用于1880到2025 MHz TD-SCDMA 频带F & A，可通过一个放大器支持相应的无线频谱。这种能力可以显著地减少多频带基站所需的功率放大器的数量，使网络运营商对器件和设备进行整合，进而降低运营支出。

此外，新的飞思卡尔LDMOS器件提供了更宽的瞬时带宽，允许网络运营商之间共享网络设备并简化了升级，从而进一步改善了网络的灵活性。运营商无需升级设备即可添加/交换频带内的频谱资源。由于宽带/多频带PA通常是独立于调制格式的，因此运营商通过简单的软件改动即可升级到4G LTE和其他无线标准，不需要增加额外的硬件。 这意味着网络运营商可以同时节省资金支出和运营成本。运营商还可以动态地重新配置通道，并通过通道整合来支持越来越高的数据速率。

飞思卡尔副总裁兼RF事业部总经理Ritu Favre表示，“使用RF功率晶体管在整个无线频带上实现出色的线性特性和高效率不只是一种美好的愿望;它已经成为了一种必须满足的需求。我们日前推出的器件是宽带RF功率晶体管家族中第一个包含了所有当前的以及新出现的无线频带的产品。 每个器件都致力于实现高效率、高线性、高输出功率特性，从而帮助运营商满足未来的挑战。”

飞思卡尔的MRF8P20165WH/S和MRF8P20140WH/S满足PCS和TD-SCDMA标准的线性需求，同时在放大介于65 MHz (PCS)和140 MHz (TD-SCDMA)之间的多个无线载波时可以实现至少43.7%的功率节省。这两款器件均采用双路径设计，通过将其中一个路径作为主放大器而另一个作为峰值放大器可实施Doherty放大器的最终阶段。

新RF功率LDMOS器件的关键指标：

MRF8P20165WH/S(1930到1995 MHz)

l 平均功率为37 W，输入信号的峰均比(PAR)为9.9 dB

l 47.7%漏极效率

l 16.3 dB的典型功率增益

MRF8P20140WH/S(1880到2025 MHz)

l 平均功率为24 W，输入信号PAR为9.9 dB

l 43.7%漏极效率

l 16 dB的典型功率增益

这两款器件都可以用于Doherty放大器配置和数字预失真。它们都非常的坚固耐用，能够以30V电压、两倍的建议输入功率处理10:1 VSWR阻抗失配。晶体管在内部以低电容匹配，可以简化电路设计，并提供集成的静电放电(ESD)保护，增强了对装配线中遇到的寄生电压的抵抗力。 此外，它们支持-6到 +10V的大栅源电压范围，改善了Class C模式下的性能。这些晶体管采用飞思卡尔的NI-780-4和NI-780S-4气腔封装。