飞兆半导体推出Generation II XS™ DrMOS器件，采用6mm x 6mm封装提供高达94%的峰值效率

摘要：  全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驱动器 + MOSFET) 器件，这些器件能够提供高效率和高功率密度，可让设计人员满足不同应用的特定设计需求。

关键字：  飞兆半导体公司，  集成式驱动器，  刀片服务器，  转换器

高效率、大电流处理能力和小外形尺寸是电源设计人员选择用于电压调节器解决方案的元件的至关重要的因素，为了满足这一需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驱动器 + MOSFET) 器件，这些器件能够提供高效率和高功率密度，可让设计人员满足不同应用的特定设计需求。

Generation II XS DrMOS器件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封装，具有较高的系统效率，在12Vin、1Vout和25A条件下重负载效率高于91.5%，峰值效率则超过94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz开关频率下运作，并具有最高50A的电流处理能力。

飞兆半导体利用其在的MOSFET、栅极驱动器IC和封装技术方面的技术专长，对Generation II XS DrMOS器件进行优化，实现更高的效率并开发新的功能。这些技术提升使得Generation II XS DrMOS系列器件成为刀片服务器、高性能游戏主板、高性能笔记本电脑、显卡，以及大电流DC-DC负载点(point-of-load)转换器等应用的理想选择。

Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三态电平以匹配Intel® 4.0 DrMOS规范，并可兼容市场上的多种PWM控制器。这些器件能够显著减少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET屏蔽栅极技术而产生的振铃噪声。同步FET还集成了一个肖特基二极管，免除外部缓冲器电路，提高总体性能和功率密度，同时减少占用空间和成本。Generation II XS DrMOS器件还可以为客户加入一项过热报警功能，可在故障期间防止出现过热状况。

飞兆半导体Generation II XS DrMOS系列器件提供业界领先技术，以应对现今电子设计所遇到的能效和外形尺寸挑战。这些器件是飞兆半导体高能效的功率模拟、功率分立和光电子解决方案的一部分，能够在功率敏感应用中实现最大节能。