高效率低发热 映众将为显卡搭载Mos管

摘要：  日前NVIDIA显卡厂商映众(Inno3D)曝光了旗下一款新的GeForce GTX 560 Ti产品，这款显卡最大的特色是，其搭配的是DirectFET封装的MosFET，而非传统封装的产品。

关键字：  NVIDIA显卡，  封装，  PCB

日前NVIDIA显卡厂商映众(Inno3D)曝光了旗下一款新的GeForce GTX 560 Ti产品，这款显卡最大的特色是，其搭配的是DirectFET封装的MosFET，而非传统封装的产品。

据称，DirectFET封装的MosFET内部结构有异于传统产品。DirectFET封装的MosFET的漏极通过两边的焊盘和PCB连接在一起，和PCB有很大的接触面积，有利于电流的传导。同时由于DirectFET外壳全部采用铜片，没有传统的塑料外壳，除了通过底部和PCB进行散热外，顶部亦可通过气流进行散热，实现双面冷却。

另外，DirectFET封装采用直接芯片粘贴，没有线压焊或者引线框，大大降低了封装感抗和封装阻抗。因此，其封装阻抗比传统产品减少了90%，因为高阻抗而引起的发热大问题亦得到了解决。映众称，采用新MosFET的供电电路转换效率可达85%以上，因此更多的电能得以有效利用，而不是转变为无用的热能。

目前，由于需要设计新的PCB，这款采用新MosFET的显卡仍然处于工程样品阶段。映众表示将在随后的新显卡产品中引入DirectFET封装的MosFET，请大家拭目以待。