Vishay发布采用独特SurfLight表面发射器技术的新款850nm红外发射器

摘要：  日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装，占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率，同时具有低热阻系数。

关键字：  发射器，  光电子，  高驱动电流，  发光强度，  低热阻系数

日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装，占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率，同时具有低热阻系数。

VSMY7850X01发射器包含一个42mil芯片，驱动电流达1A，脉冲电流可达5A，VSMY7852X01包含一个20mil芯片，驱动电流达250mA，脉冲电流达1.5A。由于VSMY7850X01和VSMY7852X01的热阻系数只有10K/W和15K/W，两款器件几乎在-40℃～+100℃的整个工作温度范围内都能采用最大电流。

Vishay的SurfLight表面发射器技术使用一种独特的硅片结构，在这个结构中所有从半导体内产生的光都从芯片的顶表面发射出来，从而使VSMY7850X01在1A电流下的发光强度高达170mW/sr，光功率高达520mW，正向压降只有2V;SMY7852X01在250mA电流下的发光强度高达42mW/sr，光功率高达130mW，正向压降只有1.8V。今天发布的两款器件通过了AEC-Q101认证，半强角为±60°。

由于工作电流极高，这些发射器完全可以替代多个标准SMD器件，这样设计者就能够在各种各样的应用削减元器件数量，并提高性能表现。VSMY7852X01和VSMY7850X01非常适用于CMOS摄像头、驱动辅助系统、3D电视机和3D成像、夜视设备和红外闪光灯中的红外照明。发射器的开关时间只有15ns，是机器视觉红外数据传输的绝佳选择。

VSMY7852X01和VSMY7850X01是A850系列SurfLight发射器的最后两款产品，该系列包括VSMY3850、VSMY2850G、VSMY2850RG、VSMY1850X01和VSLY5850。所有这些器件均采用表面发射技术制造，发射波长为850nm，具有高光强和光功率。