TI打造真正0待机功耗MCU 采用Cortex M0及铁电

摘要：  近日，德州仪器结合了自身的FRAM铁电经验以及Cortex M0处理器内核，打造出一款真正的0待机功耗MCU，并且唤醒时间仅为400ns，专门面向能源收集等对功耗要求极为苛刻的场景中使用。TI在ISSCC 2013上公开了这项最新的关于MCU的研究成果。

关键字：  德州仪器，  MCU，  触发器

近日，德州仪器(TI)结合了自身的FRAM铁电经验以及Cortex M0处理器内核，打造出一款真正的0待机功耗MCU，并且唤醒时间仅为400ns，专门面向能源收集等对功耗要求极为苛刻的场景中使用。TI在ISSCC 2013上公开了这项最新的关于MCU的研究成果。

实际上，2012年全年，TI都在特别推广其采用FRAM作为存储的MSP430金刚狼系列产品，据了解，最早Flash on MCU，也是率先在MSP430中采用。而现在全力进军铁电领域的研究，正是TI看到了铁电在低功耗方面的种种优势。

由于铁电的存储器不需要反复刷新，因此铁电存储可以实现真正的0功耗待机。

TI表示，“对于能源收集等领域来说，非易失性存储是非常重要的，因为这些设备往往都没有恒定的供电，因此无法保证存储设备的持续性供电，有时尽管有间歇性的供电，但也许都被启动等动作消耗了。”

触发器是以256位铁电电容迷你阵列构成的，散布于整个逻辑单元中。TI表示，拒绝使用大规模集中逻辑阵列的原因是避免更长的唤醒时间，过多的走线以及并行存储时的功率消耗。

该芯片包含M0内核、UART及SPI接口、10kb ROM、8kb SRAM以及64kb FRAM。

采用0.13um工艺，仅支持1.5V供电，8MHz系统时钟以及125MHz的FRAM读写频率。

在SRAM及FRAM上运行代码时的功耗分别为75uA/MHz及170uA/MHz。

待机至RAM需要消耗4.72nJ，耗时320ns，待机至FRAM消耗1.34nJ，耗时384ns。