万国半导体发布高可靠性600V 功率MOSFET

摘要：  集设计，研发一体的著名功率半导体及芯片制造商万国半导体今天发布两款产品AOTF11C60 和 AOTF20C60 -采用AlphaMOS II 技术的600V MOSFET。 AlphaMOS II(正在申请结构和制程专利)技术集超结技术的低内阻特性与平面工艺的强壮性于一体，是兼顾高效率和高可靠性的理想解决方案。AOTF11C60和AOTF20C60适用于服务器电源、网络通信电源、不间断电源、光伏逆变、工业马达控制系统以及LED照明等。

关键字：  MOSFET，  万国半导体，  功率器件

采用AlphaMOS II技术，只需要简单的工艺制程就可以达到超结MOSFET的性能。AOTF11C60和AOTF20C60与市场上的同规格超结器件相比，具有更高的雪崩能量。另外AlphaMOS II系列产品优化了开关参数，提高效率的同时降低了开关噪声。 较低的RDS(ON)， Ciss 和 Crss参数使得该系列产品完美地适用于高性能高可靠性的产品。

“对产品可靠性和输出效率的要求与日俱增，电源工程师对高压MOSFET的要求也越来越苛刻：既要能承受较大的反向恢复电流，又要能同时降低开关损耗与导通损耗”， 万国半导体功率器件产品线副总裁Yalcin Bulut提到：“AlphaMOS II系列，其特殊的结构不仅能满足工程师上述要求，还能帮助他们开发出更加强壮可靠的电源产品。”

AOS万国半导体发布高可靠性600V 功率MOSFET--AlphaMOS-II系列

AOTF11C60 技术参数：

600V N-channel MOSFET

RDS(ON) < 0.4 Ohms max at VGS = 10V

COSS = 108 pF typ

Qg (10V) = 30 nC typ

AOTF20C60技术参数：

600V N-channel MOSFET

RDS(ON) < 0.25 Ohms max at VGS = 10V

COSS = 190 pF typ

Qg (10V) = 52 nC typ

交期：

AOTF11C60和AOTF20C60 全部通过栅极电阻和雪崩能量测试，且采用环保无卤TO-220塑封封装。产品交期约12周。