iST在IC失效研究斐然，将于IPFA论坛发表解决方案

摘要：  iST今天宣布，台湾宜特总部与子公司上海宜硕，从全球个中好手脱颖而出，数达三篇研究成果，获选进入IEEE等级、半导体故障分析领域最高殿堂IPFA 2013 (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits， 集成电路失效分析论坛)发表研究成果。

关键字：  IC電磁輻射，iST

iST今天宣布，台湾宜特总部与子公司上海宜硕，从全球个中好手脱颖而出，数达三篇研究成果，获选进入IEEE等级、半导体故障分析领域最高殿堂IPFA 2013 (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits， 集成电路失效分析论坛)发表研究成果。

IPFA为IEEE于1985年成立，至今已发展为世界举足轻重的可靠性与失效分析会议组织。今年，第20届IPFA国际会议，将于 7月15-19号在大陆苏州举行。宜特将在此会议中， 以IC质量为主轴，分别探讨3DIC微凸块失效观察、IC电磁辐射消除与EOS 脉冲波过电保护三方面。

在3DIC 方面，iST研究出两种克服的方式：其一是利用研磨技术将3DIC微凸块(u-bump)失效区域定位，并搭配聚焦离子束显微镜(FIB)，将其失效微凸块切削进行断面观察;其二是扩大可观察的微凸块范围，从100um提升至3000um，此两项技术亦可使用在3DIC的硅穿孔(TSV)结构观察。

而在IC電磁輻射消除的研究上，iST藉由傳統與專利研發的新型FIB搭配，將任意電容值的電容放置於IC上，並與IC內部的訊號節點作連結。藉此方法，客戶不需重新投片，即可找到電磁輻射源頭並加以消除，提供IC設計者一種CP值極高的IC EMI解決方案。

在EOS 脉冲波过电保护上，iST藉由脉冲波模拟不同制程的IC上电，从其产生的过度电性应力(EOS)机制进行研究，在这当中，发现EOS耐受能力与脉冲时间存在线性关系，同时也发现IC制程本身闸氧崩溃与电压有关。从此测试，亦可提供客户简易方式，来对组件进行抗受力测试，亦可对于组件过电保护，提供一个有效参考指标。

iST集团全球营运长 林正德表示，iST此次在IC技术领域研究的卓进，也已经实际应用在客户产品上有所成果，大幅缩短客户产品开发验证时程，使客户可以快速迈向量产阶段。 iST集团发言人 林榆桑进一步说明，此次台湾与上海实验室共同进入IPFA的殿堂，亦代表 2013年宜特整合全球实验室资源的第一步，iST将以全球完整的验证测试链，提供客户全方位的服务平台，协助客户找出潜藏的风险 / 失效，强化IC性能，降低成本。