SSEC推出专为 WaferEtch 平台量身定制的多路收集排放管道

新款独有的排放设计可以在相同反应室内收集、再循环并隔离多种化学成份，几乎可以完全消除化学成份之间的交叉污染，形成独特的化学成分排放路径，并保留 SSEC 优秀的化学节能值。此外，实时淬火能力为当今细微特征蚀刻应用提供更加出色的工艺流程控制。

形成细微特征需要蚀刻工艺流程(比如凸块下金属化 [UBM])，工艺流程涉及多个金属层，并且需操作使用不相容的化学成份，这些化学成份不能接触排放管道内同一湿润区域。SSEC 首席执行官 Herman Itzkowitz 解释道： “过去，在单一晶片湿式加工工具中容纳两种或三种化学物质时，需要在收集器下使用分流阀，只要化学成份能够在短时间内使用相同路径，分流阀足以负担这项工作。使用此方法的交叉污染率通常小于 1%。”现在该款全新的排放管道设计采用多重收集方案，不仅减轻烟气且几乎消除交叉污染，使相同反应室内蚀刻多种金属成为可能 。

除单独密封以避免交叉污染的多个排放管道开口之外，该工具的晶片夹会在多路收集过程期间保持固定，支持即时淬火功能，可按需要随时停止蚀刻工序，改善工艺流程控制。新款设计保留了 SSEC 优秀的化学节能值，可捕获达 99.5% 化学成份。高回收百分比与降低交叉污染不仅延长槽池使用寿命，也降低整体拥有成本。

多路收集排放管道现在已是所有 WaferEtch 平台的标准配置，还可加装到现有的 3300 系列工具上。需要更多信息，请参观 SSEC 在 SEMICON 台湾国际半导体展321 展位。