凌力尔特公司推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2013 年 10 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器LTC4440A-5，该器件能以高达 80V 的输入电压工作，在高达 100V 瞬态时可连续工作。该驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特众多 DC/DC 控制器选择中相结合，构成完整的电源。

LTC4440A-5 可在 4V 至 15V 的栅极驱动电压范围内工作。该器件为驱动逻辑电平 MOSFET 而优化，包括一个欠压闭锁电路，该电路启动时，可禁止外部 MOSFET。以地为基准的输入逻辑信号在内部电平移位至高端栅极驱动电源，能以高于地电平 95V 的电压连续工作。使用 6V 栅极驱动时，LTC4440A-5 提供 1.1A 峰值上拉电流和 1.8Ω 下拉阻抗，从而使该器件非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET 以及驱动多个并联 MOSFET以用于更大电流的应用。当驱动一个 1000pF 负载时，其快速 10ns 上升和 7ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。

LTC4440A-5 的 I 级版本在 -40ºC 至 125ºC 的结温范围内工作。H 级版本保证工作在 -40°C 至 150°C 的结温范围，而 MP 级则保证在 -55ºC 至 150ºC，从而使该器件非常适用于经受极端环境温度的汽车、工业和军事应用。

LTC4440A-5 采用耐热性能增强型 8 引线 MSOP 封装。千片批购价为每片 1.89 美元。

照片说明：高端 MOSFET 驱动器

性能概要：LTC4440A-5

· 输入电压范围：高达 80V 连续，100V 瞬态

· 强大的 1.1A 峰值上拉驱动器 (采用 6V 栅极驱动电源)

· 强大的 1.8Ω 下拉驱动器 (采用 6V 栅极驱动电源)

· 7ns 下降时间驱动 1000pF 负载

· 10ns上升时间驱动 1000pF 负载

· 驱动标准门限 N 沟道 MOSFET

· 具迟滞的 TTL/CMOS 兼容输入

· 输入门限不受电源电压影响

· 欠压闭锁

· 耐热增强型 8 引线 MSOP 封装

· I 级版本：-40ºC 至 125ºC 工作结温范围

· H 级版本：-40ºC 至 150ºC 工作结温范围

· MP 级版本：-55ºC 至 150ºC 工作结温范围