IR新汽车级产品AUIRFN8403以紧凑5x6mm PQFN封装 提供高效率和高功率密度并减少系统成本

使用紧凑5x6mm PQFN封装的AUIRFN8403，是IR运用该公司最先进的COOLiRFET 40V沟道技术的全新器件系列的首款产品，具有3.3 mΩ超低导通电阻和95A大电流承载能力。PQFN封装具有加长管脚，管脚的端口通过电镀进行焊接，从而可以确保有效的可焊性和易于检查的焊点。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRFN8403比传统的DPAK (TO-252) 封装减少超过50%的占位面积，比SO-8封装的热性能显著提高，为汽车应用提供了超紧凑的高效率、高密度、高性价比解决方案。”

所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试和100%自动晶圆级目视检查。AEC-Q101标准要求器件在经过1,000次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过20%。

新器件符合AEC-Q101标准，所采用的物料清单环保、不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

规格

器件编号封装V(BR)DSS (V)10VGS下的最大导通电阻(mΩ)TC 为25°C 时的ID最大值(A)10VGS下的QG(nC) AUIRFN84035x6mm PQFN403.39565