为降低电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献

开始发售 功率半导体“SiC-SBD”

三菱电机株式会社此次推出采用了SiC※1的功率半导体新产品“SiC-SBD※2”，新产品为有效降低用于空调及太阳能发电中的家电・工业用电源系统的耗电量、缩小其体积做出了贡献。该产品将于3月1日起陆续发售。

※1 Silicon Carbide：碳化硅

※2　SchottkyBarrier Diode：肖特基势垒二极管

SiC-SBD“BD20060S”

SiC-SBD“BD20060T”

新产品的特点

1.通过采用SiC，为降低耗电量、缩小体积做出贡献

・通过使用SiC大幅降低开关损耗，降低约21%的电力损耗※3

・实现高速开关，为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献

※3　与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si(硅)二极管相比

2.通过采用JBS结构，提高可靠性

・采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构

・通过JBS结构提高浪涌电流耐量，从而提高可靠性

※4　Junction Barrier Schottky

发售概要

产品名型号封装规格发售日期SiC-SBDBD20060TTO-22020A／600V3月1日BD20060STO-2479月1日
（样品出厂日期：3月1日）

销售目标

近年来，出于节能环保的考虑，人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※5的SiC功率半导体模块，广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等，为降低家电及工业机械的耗电量，缩小其体积和重量做出了贡献。

在这一背景下，此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。搭载在电源系统中的“SiC-SBD”，将为降低客户的系统耗电量，缩小体积做出贡献。

本产品的开发部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

※5　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管

主要规格

型号BD20060TBD20060S规格20A ／ 600V耐浪涌电流（绝对最大额定值）※6155A正向电压（标准）Tj=25℃1.35V封装TO-220TO-247封装尺寸10.1×29.0×4.7mm15.9×41.0×5.0mm

※6　8.3msec, sine wave

环保考虑

符合RoHS※7指令(2011/65/EU)。

※7　Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

商标

DIPPFC是三菱电机株式会社的注册商标。

制造工厂

三菱电机株式会社　功率器件制作所

〒819-0192　福冈县福冈市西区今宿东一丁目1番1号

销售公司

三菱电机机电(上海)有限公司

上海市长宁区兴义路8号上海万都中心29楼

邮编： 200336

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