【成员风采】掺C半绝缘GaN衬底制造商--镓特半导体

镓特半导体科技（上海铜陵）有限公司（简称：镓特半导体）是第一家量产4英寸半绝缘GaN衬底片的公司。此外，镓特半导体是唯一一家在半绝缘GaN衬底片中使用C掺杂的公司。其他制造商也能提供2英寸掺Fe半绝缘衬底片，但掺Fe GaN的电阻率较低，而且众所周知，在器件结构的MOCVD生长过程中，Fe会扩散到外延层。

半绝缘GaN衬底片可用于制造横向导通器件，如高电子迁移率晶体管(HEMT)。人们对半绝缘GaN感兴趣，主要是因为其可以用于制造HEMT射频器件。GaN射频器件可以应用于卫星通信、5G通信和军事雷达等领域。近年来，SiC基GaN HEMT在射频器件中占据了一部分市场份额。与SiC基GaN HEMT相比，GaN基GaN HEMT表现出了更高的二维电子气体迁移率、降低的电流崩溃和更高的截止频率。由于缺乏半绝缘的GaN衬底片，GaN衬底片用于制造HEMT的潜在价值还有待阐明。镓特半导体计划通过提供高质量的4英寸半绝缘GaN衬底片以推动GaN基GaN HEMT的发展。

镓特半导体可以提供2英寸和4英寸的半绝缘GaN衬底片。也可以生长客户定制化产品。此外，镓特半导体可以提供GaN衬底片上生长MOCVD外延结构，包括HEMT。