AOS发布符合车规标准的1200V 碳化硅MOS管（αSiC MOSFETs）

日前，集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 纳斯达克代码:AOSL) 推出采用优化的TO-247-4L封装，符合AEC-Q101标准的新型1200V碳化硅MOS管(αSiC MOSFET)—AOM033V120X2Q。这款1200V 碳化硅MOS管为可接受15V标准栅极驱动器的TO-247-4L车规封装，并提供行业内领先的最低导通电阻，满足电动汽车(EV)车载充电机、电机驱动逆变器和车载充电桩的高效率和可靠性要求。

随着电动汽车市场每年以成数百万个单位的加速发展，汽车制造商正越来越多地实现800V电气系统，用以减小系统尺寸和重量的同时也延长了EV续航里程距离，并显着提高其充电速度。 AOS 1200V车规级αSiC MOSFET专为这些苛刻的应用要求而设计，与传统的硅器件相比，具有卓越的开关性能和效率。

AOM033V120X2Q是1200V / 33mW SiC MOS管，其在我们的第二代αSiC MOSFET平台的基础上，采用TO-247-4L优化封装。与标准3脚封装不同，使用额外的开尔文源极(Kelvin Source)感测引脚可降低封装内部回路上的寄生电感，使得该器件能够在更高的开关频率下工作。与标准封装相比，开关损耗最多可降低75%。其栅极驱动电压仅为15V，可以使栅极驱动器具有最广泛的兼容性，从而易于在各种系统设计中采用。此外，αSiC MOSFET在高温175°C下导通电阻的增加非常小，大幅度地降低功率损耗并进一步提高效率。

“为了持续推进电动汽车技术取代传统内燃机为主的交通运输工具，汽车制造商正在努力扩大续航里程并缩短充电时长。随着我们发布符合车规验证标准资格的1200V αSiC MOSFET，AOS可以为设计人员提供更先进的下一代半导体技术，以提高效率达成能效目标”。AOS宽禁带产品高级总监David Sheridan表示，“由于产品性能，可靠性和具有批量生产能力的供应链相结合，我们的客户选择了我们的技术”。

αSiC MOSFET产品组合将于今年下半年扩展，包括更广泛的静态导通电阻和更多封装选项，以及更多通过AEC-Q101车规验证标准资格的产品，请您拭目以待。

Technical Highlights技术亮点:

●通过AEC-Q101车规验证标准资格, 且提供汽车产业供应链中使用的质量保证程序PPAP报告

●最高工作结温175°C

●低导通电阻且不易受温度影响

●低Qrr和高可靠的寄生二极管

●使用额外的开尔文源极(Kelvin Source)感测引脚以实现快速低损耗切换