针对高性能计算7纳米 FinFET工艺 ARM与台积电签订长 来源:未知 发布时间:2016-03-16 12浏览
ARM 和台积电 宣布签订针对7纳米 FinFET工艺技术 的长期战略合作协议，涵盖了未来低功耗，高性能计算SoC的设计方案。该合作协议进一步扩展了双方的长期合作关系，并将领先的工艺技术从移动手机延伸至下一代网络和数据中心。此外，该协议还拓展了此前基于ARM ®
Artisan ®
基础物理IP 的16纳米和10纳米 FinFET工艺技术合作。 ARM 全球执行副总裁兼产品事业群总裁 Pete Hutton表示：“现有基于ARM 的平台已展现提升高达10倍运算密度的能力，用以支持特定数据中心的工作负载。未来的ARM 技术将适用于数据中心和网络基础设施，并针对台积电 7纳米 FinFET进行优化，从而帮助我们共同的客户将行业最低功耗的架构应用于不同性能要求的领域。”台积电 研究发展副总经理侯永清表示：“台积电 不断投资先进的工艺技术，致力于帮助我们的客户取得成功。凭借7纳米 FinFET，我们的工艺和生态系统解决方案已从移动手机拓展至高性能计算。得益于台积电 行业领先的7纳米 FinFET工艺，客户在设计下一代高性能计算芯片 时，相比10纳米 FinFET工艺节点，能在相同功耗获得更好性能表现，或者在相同性能表现的情况下，实现更低功耗。联合优化的ARM 和台积电 的解决方案有助于我们客户推出颠覆性产品，并率先面向市场。”最新的合作协议基于ARM 和台积电 此前在16纳米 FinFET和10纳米 FinFET工艺上取得的成功。台积电 和ARM 此前合作所取得的联合创新，使客户得以从最前沿的工艺技术和IP中获益，以加快产品研发周期。例如，尽早获取Artisan物理IP、以及试产16纳米 FinFET 和 10纳米 FinFET的ARM Cortex ®
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