ST 采用新STripFET™技术的功率MOSFET系列产品

中国，2008年2月20日— 意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）今天推出两款适用于直流—直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET™制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3瓦。在同类竞争产品中，新产品实现了最低的品质因数：FOM = 导通电阻Rds(on) x栅电荷量（Qg）。

除高能效外，新款MOSFET准许实际电路的开关频率高于正常开关频率，这样可以缩减电路无源器件的尺寸。例如，把电路的开关频率提高10%，输出滤波器需要的无源器件的尺寸就可以缩小10%。

STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的头两款产品，因为导通电阻小，栅电荷总量被大幅度降低，新系列产品性能优异，能效明显提高。两款产品都是30V（BVDSS）器件。因为栅电荷量（Qg）仅为8.8nC（纳库化），在10V电压时，导通电阻Rds（on）为7.2毫欧，所以STD60N3LH5是非隔离直流—直流降压转换器中的控制型场效应晶体管的理想选择。在10V电压时，导通电阻Rds（on）为4.2毫欧，栅电荷量为14nC，因此STD85N3LH5是同步场效应晶体管的最佳选择。两款新产品都采用DPAK和IPAK封装，不久还将推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK®封装的产品。新系列STripFET V产品最适合应用于笔记本电脑、服务器、电信设备和网络系统。

ST的STripFET技术利用非常高的等效单元密度和更小的单元特征尺寸来实现极低的导通电阻和开关损耗，同时硅面积占用率较低。STripFET V是最新一代的STripFET技术，与上一代技术相比，硅阻和活动区的关键指标改进大约35%，单位活动区内的栅电荷总量降低25%。

两款产品已投入量产。

更多信息请访问： www.stmicroelectronics.com.cn/pmos

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