电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。
F-CellTM产品采用了尺寸较小的保护环结构，这样在相同规格的条件下，F-CellTM产品具有相对较小的
芯片面积，这一优势能有效增加
芯片的利用率且降低
芯片的制造成本。
F-CellTM产品优化了栅氧化层的厚度和制程质量，提高了栅源击穿电压，从而提高了产品可靠性及稳定度；其突出表现在F-CellTM产品在经过HTRB可靠性试验后，IDSS仍然可以维持在几nA的高水平，这保证了F-CellTM器件在长时间工作的高可靠性。
此外，F-CellTM产品通过在设计及制程上的演进，优化了原胞结构，有效减小了JFET效应，使得器件的单位面积导通电阻有明显减小，从而降低了器件的静态损耗；另外，通过对多晶栅进行重掺杂处理，提高了器件的响应速度，从而提高转换效率及降低开关动态损耗。
