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来源:本站原创发布时间:2011-11-17226浏览
询问 AI新的特色产品:超薄的DFN3X3 封装,超低的Rdson
日前,集设计,开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司(AOS),发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
新的产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长电池的使用寿命,还可以使设计变的更简单紧凑,适用于便携式产品,例如:平板电脑、智能手机,电子书、笔记本电脑、数码相机及便携式音乐播放器。
AON7421和AON7423是20V P沟道MOSFET,它们的RDS(ON)是目前市面上具有相同封装的同类产品中最低的。在栅极电压为2.5V时,AON7421的RDS(ON)比其它竞争者要低20%。AON7423是一款低开启门限电压的MOSFET,低至1.5V,适合应用在低电压范围的负载切换。
AOS低压MOS的负责人Peter Wilson介绍:“AOS长期致力于给客户提供高效能的电源解决方案。这个系列的20V P沟道AlphaMOS产品设定了高功率密度和高效能的新基准,符合了延长电池寿命的要求。”所有的产品都是无卤的而且出厂时会100%检测Rg和UIS。
图1:延长便携时产品的电池使用寿命0.8毫米厚度封装
Device Specification Table
VDS
VGS
Max. RDS(ON)
PD @ TA = 25℃
ID @ TA = 25℃
@ -10V
@ -4.5V
@ -2.5V
@ -1.8V
@ -1.5V
AON7421
-20 V
±12 V
4.6 mΩ
5.7 mΩ
8.2 mΩ
—
—
6.2 W
-50 A
AON7423
-20 V
±8 V
—
5 mΩ
6.4 mΩ
8 mΩ
10.5 mΩ
6.3 W
-50 A
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2026-07-14