IPDIA推出第一个商用化的10μF硅电容器

IPDIA是领先的3D硅被动元件供应商，为电子市场带来了第一个10µF的硅电容，具有出色的稳定性和可靠性特点，是专为要求苛刻的应用而设计的。

IPDIA开拓硅电容产品组合，引入新的使用专利3D硅技术的10µF电容，其低漏电流可低至12 nA，填补了较低的漏电流在电池供电的产品的需求。

IPDIA营销总监洛朗·杜博斯(Laurent Dubos)说：“IPDIA三维硅技术为电容器业务带来骄人的业绩。比如，在心脏刺激器应用中，这样的低漏电流比起使用钽电容来要增加相当于百天的使用寿命。”

根据此类电容器在电压方面的高稳定性（<0.1％/ V）和老化特性，它超过了在医疗，航空航天，汽车和工业等市场的需求。IPDIA硅电容提供的工作温度范围从-55°C至+100°C，电容位移限制在+/-1％。由于其非常低的等效电阻(ESR)和等效电感(ESL)，这种电容具有优良的高频噪声特性，可非常有效地输出直流滤波。

IPDIA的技术提供产品失效率（FIT）在37°C时比标准表面贴装元件(SMD)好上十倍，在85°C时好上一万倍。这表现证明了此硅元件的强健可靠性。

无论您的要求是什么...... IPDIA还提供包括EIA1005，0201，0402，0603，0805和1206尺寸在内的电容，种类繁多。