罗姆推出“VML2”封装快速恢复二极管

本产品预计从4月份开始出货样品（样品价格为30日元/个），从 7月份开始以月产100万个的规模进行批量生产。生产基地为ROHM-Wako Electronics (Malaysia)Sdn. Bhd.（马来西亚）。

近年来，以智能手机和数码相机为首的便携设备的小型、薄型化发展迅速，进而对于能够减少各种整机产品的空间、实现高密度贴装的小型零部件的需求旺盛。此外，随着产品的发展，数码相机、乃至智能手机都内置闪光灯，与此相应，高耐压需求也日益高涨。但是，在保持耐压的同时实现小型化封装，涉及到放电等诸多课题，所以此前一直未能实现。

这次，罗姆通过改善结构设计和装配工艺使封装得到优化，成功开发出了世界最小的“VML2”封装（1006尺寸∶1.0mm×0.6mm）快速恢复二极管。与传统的2513尺寸（2.5mm×1.3mm）相比，体积减少约86%。不仅体积小巧，高达450V耐压特性也是其特长之一。

罗姆今后也将充分利用独创技术，加速开发紧随客户需求的二极管产品，同时，进一步努力扩充相关产品系列。

※1：根据罗姆调查（截至2012年5月8日）

＜特点＞
1）实现了世界最小尺寸
与传统的TUMD2S（2513）封装相比，体积减少约86%，并实现了高达450V的高耐压。

2）使高密度贴装成为可能的背面引脚

＜规格＞

《参考》
将VML2封装亦扩展应用到肖特基势垒二极管产品。根据不同用途共推出了七款系列产品。

＜术语解说＞
・快速恢复二极管（Fast Recovery Diode： FRD）
是指缩短电流发生逆流的时间、即恢复时间（反向恢复时间）快的一种二极管。
能够大幅度降低开关损耗、实现低损耗的高速开关。

・肖特基势垒二极管（Schottky-Barrier Diode：SBD）
使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可得到整流性（二极管特性）的二极管。具有“无少数载流子存储效应，高速性能卓越”的特点。