飞兆半导体的四路MOSFET解决方案提高了效率

高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题。 同样，热致噪声可能影响系统的图像传感器，也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量，占用电路板空间，让这些设计变得更复杂。 飞兆半导体的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装，有助于克服这些严峻的设计挑战。

FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成，采用飞兆GreenBridge™技术，改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率，将功耗降低了10倍。 该器件采用热增强、节省空间的4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装，免去了散热需要，实现了紧凑设计，提高了12和24V AC应用中的功率转换效率。

规格：

· 最大RDS(ON) = 17.5 mΩ(VGS = 10V，ID = 8A)

· 最大RDS(ON) = 23 mΩ(VGS = 6V，ID = 7A)

· 最大RDS(ON) = 25 mΩ(VGS = 4.5V，ID = 6.5A)

封装和报价信息(订购 1,000 个，美元)

按请求提供样品。交货期：收到订单后 8-12 周内

FDMQ86530L产品采用4.5 x 5.0mm MLP 12引脚封装，价格为 1.38美元。

FDMQ86530L产品是飞兆半导体全面的分立式MOSFET产品组合的一部分，再次体现了公司承诺：即提供最具创新的封装技术，以目前最先进的系统实现最小尺寸、最大热性能和最高效率。