理想二极管桥控制器 最大限度地减少整流器发热量和电

加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS, CA) – 2013 年6 月10 日– 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出一款用于9V 至72V系统的理想二极管桥控制器LT4320。其采用低损耗N 沟道MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部4 个二极管，以显著地降低功率耗散并增加可用电压。由于电源效率的提升免除了笨重的散热器，因此缩减了电源尺寸。通过免除二极管桥中固有的两个二极管压降提供了额外的裕度，低电压应用将从中获益。与传统的替代方案相比，MOSFET 桥可实现具有高空间利用率和电源效率的整流器设计。控制器的工作频率范围为DC 至600Hz。

LT4320开关控制电路平稳地接通两个适当的MOSFET，同时将另外两个MOSFET 保持在关断状态以防止反向电流。一个集成型充电泵负责为外部低导通电阻N 沟道MOSFET 提供栅极驱动，并不需要外部电容器。MOSFET 的选择在1W 到几千瓦的功率级别范围内提供了最大的灵活性。

LT4320提供了两种选项：LT4320 设计用于DC 至60Hz 电压整流，而LT4320-1 则专为DC 至600Hz 电压整流而设计。LT4320 规格在-40oC 至85oC 的工业温度范围，其可提供紧凑型8 引脚3mm x 3mm DFN 封装，以及具有增大的高电压引脚间距的12 引脚MSOP 封装。以1,000 片为单位批量购买，每片价格为2.95 美元，该器件现可按生产批量供货。评估电路板可在线获取，或通过当地的凌力尔特销售办事处获得。如需更多信息，请登录www.linear.com.cn/product/LT4320。

性能概要：LT4320

·二极管桥整流器的低损耗替代方案

·控制N 沟道MOSFET

·最大限度地提高了电源效率

·消除了热设计问题

·最大限度地增加了可用电压

·9V 至72V工作电压范围

·DC 至600Hz 工作频率范围

·1.5mA 静态电流

·-40°C 至+85°C保证温度范围

·8 引脚3mmx 3mm DFN封装和12 引脚MSOP 封装