Cree公司的首款900V SiC MOSFET重新定义分立功率MOSFET

科锐公司（Nasdaq：CREE）市场的领导者在碳化硅（SiC）功率的产品，推出了其最新突破SiC功率器件技术：业界首款900V MOSFET平台。优化用于高频功率电子应用，包括可再生能源逆变器，电动汽车充电系统，以及三相工业电源，新900V平台使得体积更小，效率更高的下一代电力转换系统的成本奇偶硅为基础的解决方案。

“作为一家技术领先的SiC功率，我们致力于打破性能瓶颈真正重要的电源转换设计界”

“作为一家技术领先的SiC功率，我们致力于打破性能瓶颈真正重要的电源转换设计界，”说的Cengiz Balkas博士，副总裁兼总经理，科锐电源和RF，“相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V平台使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。下面我们1200V的MOSFET，表现出卓越的性能，以高电压IGBT的，我们现在能够在900V至跑赢大市低电压超接面MOSFET硅技术。该平台提供了极大的优良特性，从而提供电源设计人员提供了潜在的创新更小，更快，更酷，更高效的电源解决方案。毫无疑问，这是超越目前的任何与实现硅接触不到的地方。“

基于科锐业界领先的碳化硅平面技术，新的900V MOSFET平台扩大了产品组合，以应对共同的新的和不断发展的应用领域中，更高的直流母线电压是可取的设计挑战。主导产品（C3M0065090J）拥有最低的导通电阻额定值的任何900V MOSFET器件（65mΩ），目前市场上可用的。此外，除了在工业标准TO247-3和TO220-3包，新的设备也提供了低阻抗D2PAK-7L表面安装封装用Kelvin连接，以帮助减少栅极振铃。

现有的900V硅MOSFET由于具有极高的开关损耗和较差的内部体二极管严格的限制高频开关电路。进一步限制使用硅MOSFET的是RDS（ON），增加3倍以上的温度，这会导致散热问题和显著降额。另外，Cree公司的新的900V MOSFET技术在较高温度下提供低RDS（ON），使热管理系统的显著尺寸减小。

该C3M0065090J的额定电压为900V / 32A，用65mΩ的RDS（ON），在25℃。在较高的温度下操作（TJ = 150℃）时，RDS（ON）仅有90mΩ。封装器件将通过DigiKey与Mouser的放养。

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