旨在增加的直流/直流转换器的功率密度，该DMC1028UFDB互补MOSFET对集成了一个N沟道MOSFET，并在单DFN2020封装的P沟道MOSFET。
该设计是专为那一步从3.3降至1V核心供电电压ASIC的负载点转换器。目标应用是以太网网络控制器，在这种设备中使用的路由器，网络接口控制器（NIC）的处理器，交换机，数字用户线（DSL）适配器，服务器和机顶盒（STB）等。
性能参数进行了优化，二极管说，为了最大限度地提高效率，同时驱动负载高达3A。有一个低19米？的Rds（on）在3.3V的低侧N沟道MOSFET的，这是在为三分之二的开关周期的Vgs的;和低栅极电荷5Nc的源一量（Qg），在3.3V时为P沟道MOSFET的栅极电压，以减少开关损耗，说公司。
使用P沟道MOSFET，以实现高侧开关元件，简化设计并减少相比的N沟道MOSFET，需要电荷泵的元件数量。功率密度是通过组合P沟道和N沟道器件，作为一个互补MOSFET对，在一个单一的DFN2020包一倍。这表示，该公司，是相对于在同一尺寸封装的MOSFET个人。
