东芝公司推出新款高性能ESD保护二极管

致力于与科技公司合作以创造突破性设计的行业领袖东芝美国电子元件公司（TAEC）今天宣布推出4款新型ESD保护二极管：DF2B5M4SL、DF2B6M4SL、DF10G5M4N和DF10G6M4N。新款高性能二极管可以保护移动设备免遭静电放电和噪声的伤害，面向智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。



TAEC公司业务开发经理Talayeh Saderi指出：“通过采用专有Snapback技术的新工艺，这些产品同时实现了低电容、低动态电阻和高耐用度。它们非常稳健，有助于提升系统可靠性。”

东芝的新款ESD保护二极管通过RDYN = 0.5 O（典型值）的低动态电阻实现了高性能。与采用传统ESD保护二极管阵列工艺*1的二极管相比，其电阻提高了50%。

至于封装，DF2B5M4SL和DF2B6M4SL小巧的SOD-962（0.62x0.32mm）封装使它们适于高密度安装，而DF10G5M4N和DF10G6M4N的DFN10多位封装实现了流通布局。

主要特性：

高保护性能和低动态电阻：
RDYN = 0.5 O（典型值）（比传统工艺产品高50％）

通过低电容抑制信号质量退化：
Ct = 0.2 pF（典型值）@ VR = 0 V，f = 1 MHz

高静电放电电压：
VESD =±20 kV（最小值）@ IEC61000-4-2（接触放电）
4级（比传统工艺产品约高2倍）

低箝位电压：

DF2B5M4SL、DF10G5M4N：VC = 24 V（典型值）@ ITLP = 30 A

DF2B6M4SL、DF10G6M4N：VC = 25 V（典型值）@ ITLP = 30 A

主要技术规格

(@Ta25 oC)

产品编号

位数

绝对最大额定值

VRWM（最大值，V）

VBR(V)

VC（典型值，V）*3

RDYN（典型值）*3@8 ~ 16 A (O)

Ct（典型值）@0 V, 1 MHz (pF)

封装

VESD*2(kV)

最小值/最大值

@IBR(mA)

@16 A

@30 A

DF2B5M4SL

1位

±20

3.6

4/6

1

17

24

0.5

0.2

SOD-962

DF10G5M4N

4位

DFN10

DF2B6M4SL

1位

5.5

5.6/8

18

25

SOD-962

DF10G6M4N

4位

DFN10

* 1：DF2B7M2SL（EAP-II工艺产品）

* 2：@ IEC61000-4-2（接触放电）

* 3：@ TLP参数：ZO = 50 O、TP = 100 ns、TR = 300 ps、平均窗口T1 = 30 ns至T2 = 60 ns

定价及供货情况

东芝的新款ESD保护二极管现已上市。如需样品，敬请联系当地东芝销售办事处。