SK海力士｜开发业界首个HBM3 DRAM，较上一代速度提升78%

CINNO Research产业资讯，SK海力士10月20日表示，公司开发了业界最高规格DRAM“高带宽内存(HBM)3”。HBM是一种高性能内存，垂直连接多个DRAM，数据处理速度相比现有内存实现了飞速提升。SK海力士HBM3每秒能处理819GB的数据。只需一秒钟就能处理163部全高清级的电影(5GB)。与上一代HBM2E相比，速度提升了78%。

SK海力士开发的业界首个HBM3 DRAM

据韩媒ETNews报道，内置错误更正码(On Die-Error Correction Code)也是产品的一大特点。HBM3通过该代码可以自行校正传递给DRAM单元的数据错误。这将大大提高产品可靠性。

此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。为实现24GB的业界最大的容量，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m)，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。TSV是一种在DRAM芯片上钻数千个微孔，将上层和下层芯片孔垂直贯通的电极进行互联互通的技术。

SK海力士计划开发现存最高规格的HBM3，抢占内存市场主导权。以推出HBM3为契机，积极抢占高性能数据中心市场。该产品有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习(Machine Learning)和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。

SK海力士DRAM开发部副总裁车善勇表示，“自推出全球首款 HBM DRAM 以来，SK 海力士在引领 HBM2E 市场之后，又成功开发了业内首款 HBM3 DRAM 。我们将继续努力巩固自身在高端内存市场的领导地位，并通过提供符合 ESG 管理标准的产品，来帮助提升客户们的价值。”