SK海力士开发出HBM3 DRAM内存， 较上一代整体带宽提高78%

10月22日，据韩国存储大厂SK 海力士宣布，其已成功开发出HBM3 DRAM 内存，是全球首家开发出新一代高带宽内存(HBM)，也是HBM 系列内存第四代产品。新一代HBM3 DRAM不仅提供更高带宽，还堆叠更多层数DRAM 以增加容量，提供更广泛应用解决方案。

SK 海力士2020 年7 月才量产HBM2E，现在就推出HBM3，研发进度算相当快，也将巩固SK 海力士在全球存储市场的竞争力。SK 海力士HBM3 可提供两种容量，一种是12 层硅通孔技术垂直堆叠的24GB 容量，另一个是8 层堆叠的16GB 容量，24GB 容量芯片本身高度不超过30 微米。

性能方面，SK 海力士HBM3 DRAM 记忆体提供819GB/s 带宽，上一代HBM2E带宽为460GB/s，整体带宽提高78%。辉达A100 运算卡目前使用6 颗HBM2E 为显存，提供2TB/s 带宽。一旦换成HBM3 规格，带宽最高可提高到4.9TB/s，显存容量也提升至最高144GB。

进一步拿HBM2E 与HBM3 DRAM 比较，HBM3 DRAM 内建纠错技术，明显提高产品可靠性。据SK 海力士说法，预计HBM3 DRAM 将主要用在数据中心高效能运算服务器及机器学习平台，提高人工智能运算速度和超级电脑性能，以帮助气候变化分析和药物开发等应用项目。