台积电3nm、2nm工艺放缓 Intel追上来了：2025年决战！

这两年台积电靠着先进工艺抢占了全球半导体晶圆代工市场的份额，第三季度5nm芯片出货量占晶圆总收入的18%，7nm占34%，这两种工艺就贡献了52%的收入，在这方面能打的对手一个都没有，三星及Intel都要落后很多。

不过，对台积电来说，未来几年的隐忧还是少不了的，危机早就在埋伏中了。

台积电这几年业绩大涨是在对手工艺进展落后的情况下实现的，但是台积电7nm节点开始晶圆成本就降不下来了，5nm成本更高，接下来的3nm升级周期也延长到了2.5年，功耗、密度缩放得更差，2nm工艺要到2025年了。

台积电的放缓给了三星及Intel追赶的机会，按照Intel规划的路线图，他们在2024年要量产20A工艺，大概相当于2nm工艺，2025年还会量产在下一代的18A工艺。

从20A工艺开始，Intel还会放弃FinFET工艺，升级两大革命性新技术——RibbonFET及PowerVia。

根据Intel所说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

总的来说，台积电现状很不错，但是未来几年里要面临对手加速追赶的压力，Intel CEO基辛格喊出未来几年恢复半导体领导地位的口号不是空话，2025年左右会有一场决战。