Vishay Siliconix 推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的 190V N 通道功率 MOSFET

SiA850DJ是在1.8VVGS时具有面向高压应用的导通电阻额定值
的业界首款器件，其封装厚度仅为0.75mm，占位面积为2mm×2mm

    2009年1月8日，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布推出业界首款带有同体封装的190V功率二极管的190Vn通道功率MOSFET---SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。采用PowerPAK®SC-70封装的SiA850DJ还是在1.8VVGS时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。

    SiA850DJ的典型应用将包括面向高压压电电动机的升压直流到直流转化器以及手机、PDA、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的有机LED（OLED）背光。

    将MOSFET及功率二极管整合到同一封装可帮助设计人员节约至少三分之一的PCB面积，同时由于无需使用外部二极管，因此可降低解决方案成本。较大器件在2.5V时达到导通电阻额定值，而SiA850DJ在1.8V时便可达到导通电阻额定值，由于无需使用电平位移电路，这进一步节约了板面空间。该器件的导通电阻值范围介于1.8VVGS时17Ω～4.5VVGS时3.8Ω，0.5A时二极管正向电压为1.2V。

    SiA850DJ100%无铅（Pb），无卤素，并且符合RoHS规范，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。

    目前，新型SiA850DJ的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。
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VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLEFOOT®)。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®)和更小空间(ChipFET®，MICROFOOT®)新的封装选择。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。