Vishay最新推出高性能60V TrenchFET 第四代 N沟道功率MOSFET

　　宾夕法尼亚、MALVERN―2019年2月21日―日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15mmx5.15 mmPowerPAK®SO-8单体封装的60VTrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiR626DP。VishaySiliconixSiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36%，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

　　日前发布的器件10V条件下最大导通电阻降至1.7m，栅极电荷仅为52nC，输出电荷为68nC，COSS为992pF。在功率转换应用中，这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)分别比前代器件降低32%和45%。MOSFET的COSS降低69%。

　　SiR626DP改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流，隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率，适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

　　MOSFET经过100%RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

　　SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周，视市场情况而定。

　　VISHAY简介

　　VishayIntertechnology,Inc.是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。