台积电加快16纳米和10纳米制程技术的步伐

 

台积16纳米 提前明年Q2量产

台积电提前试产16纳米制程，并加速相关产能建置脚步。设备商透露，台积电16纳米产能预定明年第1季拉升至每月5万片，量产时程可望推进至明年第2季，比预定时间提前一季，将承接苹果下世代处理器A9大部分订单，挹注后续成长动能。

先前市场忧心，台积电16纳米明年将落后劲敌三星，随着台积电加快相关制程布局脚步，有助持续扩大先进技术领先地位，稳居全球晶圆代工龙头。

台积电不愿对16纳米进度置评。设备商透露，台积电董事长张忠谋先前在法说会中透露台积电明年16纳米市占恐输给竞争对手，引发外资强大卖压。但张忠谋此举，是要唤醒内部忧患意识，全力防堵三星坐大。

据了解，台积电研发及生产线已全面上紧发条，全力拉升16纳米及10纳米等先进制程良率。

台积电日前董事会，一口气核准资本预算910.3亿元，将用来扩充先进制程产能，并转置部分逻辑制程产能至多种特殊制程产能，同时兴建厂房、安装洁净室和扩充先进封装产能，还有第4季的研发资本预算与经常性资本预算。

设备商透露，台积电已对设备协力厂提出采购要求，希望在最短时间内，全力支持在明年第1季于南科Fab14 P7厂进行16纳米产能扩大装机作业，希望将月产能拉升至5万片。

据了解，台积电目前在竹科12寸厂已有1.5万片的16纳米产能，一般预料，南科Fab14 P7厂将以16纳米FinFET+(鳍式场效晶体管强化版)为主力。

设备商指出，从台积电要求装机时间集中于明年第1季的时程推算，台积电打算将16纳米FinFET+量产时程提前一季至明年第2季，透露台积电相关制程良率提升进度超前。

台积电稍早在法说会表示，未来16纳米以大多会以16纳米FinFET+制程接单，预估明年第3季开始小量生产，明年全年营收占比仅个位数。

设备商认为，台积电16纳米FinFET+制程将延续在20纳米大啖苹果订单的优势，持续承接苹果下世代处理器A9大部分订单。

此外，台积电16纳米FinFET+制程客户还包括高通、联发科等芯片大厂，让台积电明年在经历第1季库存调整、产能淡季之后，明年第2季即可呈现大幅跃升，展现逐季创新高的实力。

台积16nm制程 牵动苹果A9订单

台积电16奈米FinFET制程量产时间点若提前1季、至明年第二季，除了拿下极具指标意义的苹果A9订单机率大增外，预估明年将带来15亿美元营收，且占第三季与第四季营收比重将快速攀升、分别为5%与12%。

巴克莱资本证券亚太区半导体首席分析师陆行之认为，台积电16奈米FinFET若提前量产，将享「加乘效果」，因为20与16奈米制程有95%的设备可以互相转换，有助于16奈米良率的攀升，因此预计最快从明年第四季起就可透过16奈米取得市占率优势。

尽管台积电昨天股价并未反应这项传闻，仍小跌0.5元收125元，但来自外资圈的乐观基调越来越多，港商里昂证券认为从"全球IC设计厂商库存水位"与"智能手机与PC需求"双指标来看，下半年半导体产业基本面无虞，建议布局台积电、日月光、矽品、联咏、景硕、联发科等6档。

里昂证券指出，从库存水位来看，全球逾30家IC设计厂商Q2库存天数仅由Q1的65天略增1天至66天，也仅较2010年第一季以来的平均水位高1天。

此外，里昂证券指出，前16大IC设计厂商第二季营收季成长率与年成长率分别为6.2%与10.5%，比市场预估平均值还要高，也因为如此，第二季库存的季成长率与年成长率分别为7%与0%，与营收成长幅度差不多，即便晶圆代工产能扩增积极，存货天数增加幅度也有限，可化解国际机构投资人隐忧。

根据里昂证券的估算，第三季半导体库存天数将由第二季的65天略微上升到68至69天，与台积电董事长张忠谋在法说会所释出的讯息颇为一致。

此外，从需求端来看，里昂证券认为绝大多数产品实际销售(sell-through)数据并无恶化迹象，不管是iPhone还是低价智慧型手机、还是优于预期的PC/消费性电子产品需求，都能有效防止IC设计厂商第三季库存水位的大幅度攀升，也就是说，即将到来的今年第四季至明年第一季的产能控管(库存去化)压力将会非常轻微，对绝大多数半导体制造厂商而言，可望保有较佳的产能利用率与获利表现。

甩开英特尔，台积明年Q1建10纳米试产线

业界传出，台积电除加速南科厂16纳米产能布建，也决定在明年第1季于中科建置10纳米试产线，透露台积电将以中科作为10纳米生产重镇，并加快试产脚步，拉开与英特尔、三星等劲敌的差距。

台积电并未对相关传闻置评。设备商透露，受制于设备大厂艾斯摩尔(ASML)极紫外光(EUV)技术输出率仍未达量产需求，台积电10纳米仍会以浸润式机台进行多重曝光方式，作为显影核心设备，并集中于12寸晶圆厂生产。

10纳米制程被台积电视为"最关键的一役"，台积电董事长张忠谋稍早透露，台积电短期恐在16纳米市占略为落后输竞争对手，不过，台积电有信心很快抢回市占率，并积极导入10纳米等更先进的制程，预定明年下半年完成产品设计定案。

张忠谋当时说，台积电2013年开始进行10纳米技术开发，10纳米技术将是继16纳米FinFET(鳍式场效晶体管)及强效版制程16 FinFET+之后的第三代FinFET制程，效能与密度将是业界第一。

台积电对内宣示，10纳米是"非赢不可的一战"，一定要做到比英特尔好，因此由张忠谋亲自督军，并号名近400 位研发人员成立"夜鹰计划"，让10纳米研发无缝接轨、缩短学习曲线。

18寸晶圆厂尚无时间表

为因应台积电(2330)拟设立18寸晶圆厂需求，中科局向环保署提出"中科园区扩建案"，环评过程仍在持续进行。关于18寸晶圆厂建置计划，台积电企业讯息处处长孙又文回应，台积电18寸晶圆厂的建置尚无时间表，要视半导体产业整体推进的状况而定。不过若真敲定将建置18寸晶圆厂，的确会以中科作为生产基地。

而关于台积去年宣布买下于苗栗竹南约14公顷的土地，孙又文表示，暂定将用于RD基地之用，18寸晶圆厂若真兴建仍将以中科为第一优先。

台积电目前于先进制程的脚步稳健前行：目前营收占比已逾3成的28奈米制程，以中科为主要生产基地;今年第四季营收占比将挑战2成的20奈米制程，则以南科为生产基地。另外，关于市场传出台积16奈米制程有望提前于明年第二季量产、且届时该制程月产能将迅速扩至5万片、可望追上三星的消息，台积表示不予置评，惟再次强调公司的16奈米进展一直很好。

根据台积原本规划，16奈米制程将于明年下半年小量投片，直到2016年上半年才会见到较显著的放量，量产时程的确较三星晚上半年左右。不过，这主要是由于台积并未选择跳过20奈米制程，且于16奈米同时推出FinFET/FinET +制程两个版本来抢市，以致准备期较长所致。

然而，上述先进制程以12寸晶圆厂量产便绰绰有余，台积估计至少直至10奈米制程，也都还会留在12寸晶圆厂量产。这点也隐约透露在18寸晶圆厂环境尚未成熟的情况下，台积并不急于躁进投入。

日前外资花旗才出具报告指出，18寸晶圆技术量产有延后的迹象，包括设备商ASML、应材投入的态度都没有想像积极。而研调机构IC Insights也预估，即使到了2017年，18寸晶圆厂的产能比重，恐仍仅有0.1%。至于12寸晶圆的产能比重仍将持续升高。估计到2017 年，12寸晶圆厂占晶圆代工总产能的比重将提高至70.4%。