三星更新加工工艺进展和路线地图:新17nm、量产3nm/2nm！

三星晶圆代工部门总裁Choi sSi-young表示：新冠疫情加速数字化，三星的客户和伙伴将得以在适当时机提供适当技术，开发硅应用的无限潜力。“我们将全面提供制造产能，在最先进的技术方面维持领先，持续在应用层面精进技术。” 

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推出全新17nm工艺

在此次论坛上，三星宣布推出了全新的17LPV工艺，即Low Power Value的17nm工艺。实际上，17LPV工艺就是28nm工艺的演进版，其融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序，也就是在28nm节点的基础上，加入了14nm FinFET立体晶体管，只需不高的成本，就能享受后者的能效优势。

三星称，17LPV工艺相比传统28nm，芯片面积可缩小43%，可以带来39%的性能提升或者49%的功耗降低。三星17LPV工艺的量产时间没有说，但三星已经宣布第一个服务对象是ISP图像信号处理器，属于三星自家的CMOS传感器产品线。

除此之外，三星正在将 17LPV 集成到其高压产品中，针对需要后端高压支持并结合逻辑改进的 DDIC/显示驱动器。除了 17LPV，三星代工厂正在创造 14LPU（我们认为这仍然是 28nm BEOL + 14nm FEOL）或 Low Power Ultimate，用于嵌入式 MRAM 和微控制器。此外，三星还打造了14nm LPU工艺，即Low Power Ultimate，但并未透露详情，可能也是28nm BEOL加上14nm FEOL。

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2022年量产3nm

为了在半导体制程工艺上追赶上台积电，三星在3nm工艺的研发当中就率先引入了全新的GAA（Gate-all-around，环绕栅极）技术，并计划于2021年下半年领先台积电量产3nm。虽然在今年上半年，三星宣布其3nm GAA工艺已成功流片（Tape Out），但是在“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，三星表示转移到全新的GAA技术难度很高，3nm制程将推迟到2022年上半年量产。从目前的信息来看，三星3nm的客户将包括手机芯片大厂高通、服务器芯片厂商IBM、GPU芯片厂商NVIDIA，以及三星自家的旗舰芯片。

虽然三星3nm的量产时间相比之前的规划有所延后，但是由于其率先将GAA工艺引入到了3nm当中，这也使得其3nm的性能有望领先于台积电依然基于FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺的3nm工艺。传统的平面晶体管（Planar FET）通过降低电压来节省功耗，然而，平面晶体管的短沟道效应限制了电压的继续降低，而FinFET的出现使得电压得以再次降低，但随着工艺的继续推进，FinFET已经不足以满足需求。于是，GAA技术应运而生。

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2025年量产2nm

由于GAA技术可以复用在2nm技术当中，因此，这也使得三星后续的2nm技术研发能够事半功倍。三星在此次论坛上也首次披露，其更先进的2nm技术将会如期在2025年量产，并于2026年开始有大量基于三星2nm的产品上市。三星表示，其2nm制程技术将使芯片性能、能效进一步提升，继续推进电子产品的小型化。