昭和电工连签两单长约 第三代半导体产能争夺号角吹响

《科创板日报》(上海,研究员 郑远方)讯,昭和电工28日宣布,已与东芝签订SiC(碳化硅)外延片供应长约,协议时长为2．5年。值得一提的是,昭和电工是全球最大的SiC外延片供应商。就在本月13日,这家公司也与罗姆签订了SiC外延片的多年供应长约。

据《科创板日报》不完全统计,8月以来,已有多家国际头部企业聚焦SiC,以签订长约、投资扩产、并购等多方式确保产能,产能争夺战硝烟已经点燃。

产能有多重要?眼下全球SiC晶圆年产能约在40-60万片,远不能满足下游需求,供给端成为SiC关键制约因素之一。

供应吃紧的同时,下游应用正在飞速增长。

首当其冲的就是电动汽车。数据显示,采用SiC技术后,新能源汽车能量损耗降低5倍左右,电机逆变器效率可提升4%,整车续航里程增加7%。因此,龙头特斯拉一马当先,其Model 3车型搭载了以24个SiC-MOSFET为功率模块的逆变器;比亚迪、蔚来、吉利也紧随其后开始布局。中泰证券认为,今年汽车领域SiC有望进入放量元年。

此外,光伏也被看作SiC的潜在应用场景,使用SiC技术可有效增加太阳能转换效率。去年,光伏在SiC器件占比仅10%,分析师仍旧看好其渗透率提升空间。据国际能源署IEA估计,到2024年,假如仅2%的分布式太阳能光伏系统部署SiC,其额外可产生的发电量将多达 10GW。

现阶段,SiC的渗透瓶颈主要是成本过高。不过据CASA统计,SiC价格近几年快速下降,2020年较2017年下降了五成以上,与硅器件价差进一步缩小,有望加速普及。英飞凌预计,未来5年,SiC半导体规模将以每年30%-40%的速度增长。

目前,国内也已涌现众多布局SiC的厂商,其中:

三安光电第三代半导体衬底年产能规划约3．6万片;露笑科技预计,9月底SiC项目一期可小批量出货;北方华创、华润微、闻泰科技、扬杰科技等已相继入局。

此外,SiC衬底厂商天岳先进科创板IPO已于9月9日成功过会;同光晶体10万片SiC项目已于上周投产,公司还计划一年内科创板上市;天科合达也处于上市申报阶段。

来源:科创板日报 郑远方