Everspin技术发展前景分析

Everspin，这是为数不多的MRAM产品供应商之一。Sanjeev Aggarwal等人作题为“Demonstration of a Reliable 1 Gb Standalone Spin-Transfer Torque MRAM For Industrial Applications”的报告。

“我们展示了我们的1Gb独立STT-MRAM产品在-40 ℃至110 ℃的温度范围内的可靠运行。良好的4 sigma读写分布，使其可在85℃的情况下实现2E11个周期的耐久性和10年的数据保存寿命。”1 Gb芯片采用28nm技术制造，很可能在GLOBALFOUNDRIES的新加坡工厂生产。

Everspin 256Mb和1Gb STT-MRAM结构示意图

今年8月的Flash Memory Summit上Everspin详细介绍了该器件[1]，与256 Mb版本相比，似乎在结构上有所变化。新版本中，MTJ与write-1和write-2线共轴，而不是在早期版本中有所偏移。图中TJ层是隧道结层，通常称为磁隧道结(MTJ)。

此外，规格已从1.5V DDR3 VDD / VDDQ，JEDEC DDR3 ball configuration发展到1.2V DDR4 VDD / VDDQ，DDR4 ball configuration。上方示意图中，我很想知道沟槽(Trench)中的材料---某种额外的金属层?