南亚科已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术

近日据外媒报道，南亚科总经理李培瑛宣布，已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术，将在今年下半年试产。

据悉，全球 DRAM 内存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中，他们的份额高达 95%以上，关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛，其他公司突围起来很难。

南亚科现在以 20 纳米技术为主力，技术来源为美光。随着南亚科 10 纳米制程导入自主技术，意味未来不再仰赖美光授权，每一颗产品都是公司自行开发，摆脱数十年来技术长期依赖国际大厂的状况，免除动辄上百亿元的授权费用，包袱大减。

南亚科总经理李培瑛指出，2020 年 DRAM 的市况，在需求方面，因为服务器需求稳定成长，手机搭载 DRAM 的数量增加，再加上个人电脑出货稳定，消费型电子产品需求量也稳定成长的情况下，需求面持续看到改善。

供给面方面，各大厂因为在 2019 年资本支出保守，使得现阶段没有新产能开出，供给有限的情况下，使得供需情况更加健康。预计，2020 年 DRAM 市场需求将成长 15%至 20%，供给成长 10%至 15%，而南亚科 2020 年位元出货将成长约 15%。

李培瑛还强调，就目前的情况看来，DRAM 市场包括现货价与合约价的平均价格都已经止跌回稳，除了三星跳电事件对短期现货价有波动，长期来看就是持稳，这也使得南亚科 2020 年第 1 季毛利率将不会再下滑。

整体来说，虽然 2019 年第 4 季较第 3 季的营收有所下滑，但是优于 2018 年的第 4 季。而未来的 2020 年第 1 季预估会比 2019 年第 4 季还有成长，第 2 季也将会持续提升，加上预计导入 10 纳米级新制程，资本支出上半年仍较少，下半年起预计会有增加，实际数字有待董事会最后决定。

预估，第一代 10 纳米级前导产品包括 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5 将建构在自主研发的制程及产品技术平台上，预计 2020 下半年陆续进入产品试产。至于，第 2 代 10 纳米级生产技术目前正在研发阶段，预计 2022 年开始导入试产。