三星芯片进入寒冬，DRAM 合约价提前“小涨”

据悉，2020年第一季度DRAM合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。

据集邦咨询半导体研究中心最新调查，随着近一个月来 DRAM 现货价格持续走扬，加上 2019 年 12 月 31 号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品类别买方备货意愿进一步增强。

对于三星来说，他们发布的四季度业绩指引，称运营利润将减少 34%至 60.9 亿美元;年利润减少 53%至 240 亿美元，创 2015 年最低，以及 10 年来最大降幅。此外，四季度营收下降 0.5%至 500 亿美元。

三星电子表示，其第四季度营业利润降幅将小于预期，表明内存芯片价格触底反弹的速度快于此前分析师的预期。

全球经济疲软抑制了数据中心客户的之处，内存芯片库存量上升影响了其价格，受此影响，此前持续繁荣了两年的内存芯片行业迎来寒冬，2018 年末开始，作为全世界规模最大的内存芯片制造商，三星芯片业务的经营一直处于挣扎。

不过三星并不担心，因为芯片价格已经出现了反弹的势头，因此今年外界对于该行业的情绪较为乐观，预计市场对内存芯片需求今年将会回归。

集邦咨询表示，在标准型内存方面，虽然第一季的价格仍在议定中，但集邦咨询预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关系的不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在 2019 年第四季度出货，导致 2020 年第一季度的出货较为疲弱。