​【观察】第三代半导体的中国机会 SiC与GaN助力“弯道超车”

从以IGBT、MOSFET等为代表的硅基功率半导体，到以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，风风火火几十载，市场新玩家不断涌入。站在“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”战略的黄金赛道上，第三代半导体能否成为国产替代“弯道超车”的机遇点？当前，国内正聚集了一批以华润微、士兰微、斯达半导、瞻芯电子等为代表的半导体企业都在摩拳擦掌向前冲。

半导体巨头摩拳擦掌

在全球“缺芯”持续蔓延，及功率半导体景气度攀升现状下，国内IGBT龙头斯达半导董事长沈华在2021年半年度业绩说明会上指出，2020年至今公司已经定点多个使用全SiC MOSFET模块新能源汽车主电机控制器项目，预计将在2022年至2028年持续上量。公司全碳化硅功率模组产业化项目已经开始建设并开始批量供货，预计2022年开始大批量供货。