三星海力士正开发第三代HBM显存技术

尽管市面上还没有太多使用高带宽显存（HBM）的产品，但这并不能阻挡三星和海力士继续开发第三代HBM芯片。在库比蒂诺召开的Hot Chips大会上，我们获知了更多有关第三代HBM的信息。Ars Technica解释到，传统内存设置多由尽可能贴近逻辑设备（CPU或GPU）的RAM芯片组成；而HBM则是彼此堆叠、通过TSVs直连的结构，然后它们会被放到逻辑芯片的封装中。

这种封装技术科技减少设备整体所需的占地面积（看看AMD的紧凑型Fury Nano显卡就知道了），并为带宽的巨大增加而敞开了大门。

不过目前，容量和价格依然是限制其广泛采用的两大障碍。幸运的是，这些问题有望在HMB3上得到解决。

第三代HBM技术可将单片显存容量提升到16Gb（第2代HBM技术为 8Gb），并且最高支持8片堆叠——配备64GB显存的显卡将成为现实。

除此之外，HBM3所需的核心电压更低、峰值带宽也翻番（每层高达512GB/s）。唯一的“坏消息”是，我们可能还要再等几年才能用上它。