大陆韩国扩产竞赛 Flash后年产能恐过剩

储存型快闪记忆体（NAND Flash）军备竞赛再起，南韩记忆体大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元（约27亿美元），在南韩及大陆两地增加记忆体产能；紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。

目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍处于供不应求局面，但南韩记忆体大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪记忆体厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但也为NAND Flash市场投下新变数。

稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半启用，第一期投资额15.6兆韩元（134亿美元），估计12寸晶圆产量可达20万片，虽然三星还未敲定生产项目，但市场推测，因三星DRAM市占已接近跨过50%门槛，有反托辣斯法要求分割疑虑，应仍会以发展3D NAND Flash 为主。

半导体设备厂透露，目前六大NAND Flash晶片厂都有持续扩充NAND Flash晶片计画，不过在各家从2D转3D NAND晶片，因制程难度高，造成供应不足，使今年NAND晶片供应短缺，预料随3D NAND晶片下半年制程逐步顺利，缺货问题会逐渐纾解。